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SiC碳化硅MOSFET正在替代高壓變頻器的IGBT

   日期:2024-07-09 16:54     瀏覽:537    評論:0    
核心提示:基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高壓變頻器的IGBT!使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造高壓變頻器!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊升級傳統(tǒng)IGBT模塊高壓變頻器,實現(xiàn)更高的高壓變頻器效率,更小的高壓變頻器體積重量!更低的高壓變頻器成本!隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為
 基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高壓變頻器的IGBT!
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造高壓變頻器!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊升級傳統(tǒng)IGBT模塊高壓變頻器,實現(xiàn)更高的高壓變頻器效率,更小的高壓變頻器體積重量!更低的高壓變頻器成本!
 
隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H,IMYH200R075M1H,IMYH200R050M1H,IMYH200R024M1H,IMYH200R012M1H,DF4-19MR20W3M1HF_B11,F(xiàn)F4MR20KM1HP,F(xiàn)F3MR20KM1H,F(xiàn)F5MR20KM1HP,F(xiàn)F5MR20KM1H,F(xiàn)F4MR20KM1H,F(xiàn)F3MR20KM1HP。
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
高壓變頻器MV inverter,采用級聯(lián)多電平技術(shù),可實現(xiàn)數(shù)十MW級中高壓電機的精確控制,可選柜體式和集裝箱式,兩象限、四象限等不同形式??捎糜趥鲃釉囼炁_、冶金、石油、天然氣、化工、建材、礦業(yè)、市政工程等場合,及抽水蓄能、重力儲能、壓縮空氣儲能、飛輪儲能、光熱發(fā)電、氫能等新能源領(lǐng)域,目前高壓變頻器的升級優(yōu)化進(jìn)程受制于IGBT模塊發(fā)展水平,IGBT模塊固有的耐壓低,電流密度低,頻率低開關(guān)速度低的弱點,導(dǎo)致高壓變頻器體積大,重量高,功率密度低,限制了高壓變頻器的普遍應(yīng)用。
 
與傳統(tǒng)的IGBT模塊相比,基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊具有關(guān)斷拖尾電流極小、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊開發(fā)變頻器,能提高功率密度,縮小裝置體積;提升功率變換器效率;提高開關(guān)頻率,縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運行的可靠性;還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。隨著對變頻調(diào)速系統(tǒng)對能效等級和可靠性要求的日益提高,傳統(tǒng)的IGBT模塊已難以滿足一些工業(yè)傳動場合的應(yīng)用需求,基于基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊的高效高可靠變頻器將是下一代電機驅(qū)動產(chǎn)品的發(fā)展方向。
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此,BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
 
為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應(yīng)用需求,BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。
 
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
 
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™I型三電平IGBT模塊,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™混合SiC-IGBT單管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅(qū)動,AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,國產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè),新能源汽車電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,歐標(biāo)充電樁,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,傾佳電子(Changer Tech)為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn),邁向數(shù)字能源新時代!
 
 
 
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