基本™(BASiC Semiconductor)PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級全碳化硅功率模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
適用于電動垂直起降飛行器eVTOL(electric Vertical Take-off and Landing,即電動垂直起降飛行器)SiC碳化硅MOSFET功率模塊,飛行汽車(eVTOL)汽車級全碳化硅功率模塊,eVTOL電機驅(qū)動碳化硅功率模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
基本™(BASiC Semiconductor)SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N
適用于液冷大型儲能集中式PCS的全碳化硅MOSFET功率模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
適用于液冷充電樁電源的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
適用于三相三電平維也納PFC的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
傾佳電子(Changer Tech)致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
對于通用應(yīng)用,SiC 功率器件可以替代 Si IGBT,從而將開關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%,具體取決于轉(zhuǎn)換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本,而其較慢的開關(guān)速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類新的電力電子設(shè)計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導(dǎo)熱性更強,可實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。
Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時,就會發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中,例如電動汽車或制造業(yè),熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小整體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要,其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。
SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗和更薄的有源區(qū)運行,從而實現(xiàn)效率更高、開關(guān)頻率更高、更節(jié)省空間的設(shè)計。因此,SiC MOSFET 正成為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中優(yōu)于傳統(tǒng)硅(IGBT,MOSFET)的首選。
碳化硅(SiC)功率模塊在工業(yè)市場有許多應(yīng)用。這些模塊通常用于提高電能轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)的效率,同時在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場中的一些主要應(yīng)用:
電機驅(qū)動和控制: 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng),提供高效率和高功率密度,降低能源損耗。
電源和逆變器: 在工業(yè)設(shè)備中,SiC功率模塊可用于設(shè)計高效率的電源和逆變器,適用于工業(yè)自動化、機床和其他高功率應(yīng)用。
可再生能源系統(tǒng): 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,提高了能源轉(zhuǎn)換效率。
焊接設(shè)備: 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應(yīng)和更高的效率。
電力傳輸與分配: SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng),提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。
電氣化交通: 在高速列車和電動汽車中,碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度,減輕設(shè)備重量,提高系統(tǒng)效率。
工業(yè)加熱系統(tǒng): 在高溫加熱系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。
這些應(yīng)用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案,有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。
對于通用應(yīng)用,SiC 功率器件可以替代 Si IGBT,從而將開關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%,具體取決于轉(zhuǎn)換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本,而其較慢的開關(guān)速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類新的電力電子設(shè)計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導(dǎo)熱性更強,可實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。
Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時,就會發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中,例如電動汽車或制造業(yè),熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小整體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要,其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。
SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗和更薄的有源區(qū)運行,從而實現(xiàn)效率更高、開關(guān)頻率更高、更節(jié)省空間的設(shè)計。因此,SiC MOSFET 正成為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中優(yōu)于傳統(tǒng)硅(IGBT,MOSFET)的首選。
為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應(yīng)用需求,BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。
Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時間;Ciss越大,延遲時間越長。BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ⇒柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開關(guān)過程中對切換時間起決定作用,高速驅(qū)動需要低Crss。
Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。
基本™(BASiC Semiconductor)B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關(guān)損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù),更適合軟開關(guān)
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險
• 最大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試
• 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計,降低高溫漏電流
• AEC-Q101
基本™(BASiC Semiconductor)推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore™2 E2B,BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺設(shè)計,在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70,F(xiàn)F6MR12W2M1HP_B11,F(xiàn)F6MR12W2M1H_B11,安森美NXH006P120MNF2,wolfspeed的CAB006A12GM3T,CAB006M12GM3T,CAB006M12GM3,CAB006A12GM3。
產(chǎn)品優(yōu)勢
- 更穩(wěn)定導(dǎo)通電阻
新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動。
- 更優(yōu)異抗噪特性
寬柵-源電壓范圍(Vgss: -10V~+25V),及更高閾值電壓范圍(Vth: 3V~5V),便于柵極驅(qū)動設(shè)計。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。
應(yīng)用領(lǐng)域:燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
汽車級全碳化硅功率模塊是BASiC基本™(BASiC Semiconductor)為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品,包括Pcore™6汽車級HPD模塊、Pcore™2汽車級DCM模塊、Pcore™1汽車級TPAK模塊、Pcore™2汽車級ED3模塊等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本™(BASiC Semiconductor)最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝,綜合性能達到國際先進水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷BASiC基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,原方帶死區(qū)時間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化。
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場景:
充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制,雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機(OBC)/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本™(BASiC Semiconductor)還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計快速開關(guān)單極型器件,替代升級雙極型 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)開關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化,在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。
與IGBT相比,SiC-MOSFET的開關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優(yōu)化效率。當(dāng)改用碳化硅 (SiC) MOSFET時,可以使用簡單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數(shù)量實際上減少了一半。這不僅可以降低成本,還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。SiC MOSFET 不斷改進,并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應(yīng)用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛,從太陽能和風(fēng)能逆變器和電機驅(qū)動到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展,對增強這些機電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。這項創(chuàng)新擴展了幾乎每個行業(yè)的電機驅(qū)動應(yīng)用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關(guān)速度和低成本而歷來用于直流至交流電機驅(qū)動應(yīng)用。最重要的是,Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗,使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機驅(qū)動應(yīng)用的明顯選擇。然而,Si IGBT 的一個顯著缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時,就會發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中,例如電動汽車或制造業(yè),熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險。
電力電子轉(zhuǎn)換器提高開關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向,因為相關(guān)組件(特別是磁性元件)可以更小,從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節(jié)省成本。然而,所有器件的開關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗,IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過多年的高度改進,使得實現(xiàn)性能顯著改進變得越來越具有挑戰(zhàn)性。例如,很難降低總體功率損耗,因為在傳統(tǒng)的 IGBT 設(shè)計中,降低傳導(dǎo)損耗通常會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。
作為應(yīng)對這一設(shè)計挑戰(zhàn)的解決方案,SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好,可以實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。
由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要,高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外,與 Si IGBT 電機驅(qū)動器系統(tǒng)相比,SiC MOSFET 的一個顯著優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中,電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內(nèi)。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅(qū)動功率開關(guān)器件的另一個優(yōu)點是,由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關(guān)系,它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器,以保護電機免受高 dv/dt 的影響(只有電機電纜長度才會衰減 dv/dt)。 SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器相較于IGBT變頻伺服驅(qū)動器在高開關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但某些應(yīng)用可能會看到整個電機驅(qū)動器系統(tǒng)的價格下降(通過減少布線、無源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個應(yīng)用系統(tǒng)之間進行復(fù)雜的設(shè)計和成本研究分析,但可能會提高效率并節(jié)省成本。基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動汽車續(xù)航里程并將充電時間縮短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而,在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統(tǒng)價值時,需要考慮整個電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)?。?第一降低無源元件成本,無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導(dǎo)地位。提高開關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求,使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達 50%,從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇,從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統(tǒng)里的價值時,考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價值主張的一個重要部分。