基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充電樁電源模塊中的應(yīng)用
適用于充電樁直流快充電源模塊的國產(chǎn)高可靠性碳化硅(SiC)MOSFET-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
傾佳電子(Changer Tech)致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:
1.出類拔萃的可靠性:相對競品較為充足的設(shè)計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設(shè)計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動,能夠確保大批量制造時的器件可靠性,這是基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). 基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高,也增強了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。
2.可圈可點的器件性能:同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。
基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的,帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競品,特別適用于LLC應(yīng)用,典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級DC-DC應(yīng)用。
Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時間;Ciss越大,延遲時間越長?;?trade;(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ⇒柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開關(guān)過程中對切換時間起決定作用,高速驅(qū)動需要低Crss。
Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。
基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關(guān)損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù),更適合軟開關(guān)
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險
• 最大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試
• 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計,降低高溫漏電流
• AEC-Q101
傳統(tǒng)的直流充電樁拓撲電路一般是三相交流380V輸入電壓經(jīng)過PFC維也納 AC/DC電路后,得到直流母線電壓,然后經(jīng)過全橋LLC DC/DC電路,輸出 200V到1000V高壓給新能源汽車充電使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開關(guān)頻率 40kHz 左右,一般用使用 650V的超結(jié)MOSFET或者 650V 的IGBT,劣勢是器件多,硬件設(shè)計復(fù)雜,效率低,失效率高。新一代直流充電樁拓撲電路會把原來的PFC維也納整流升級為采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的三相全橋PFC整流。這樣將大大減少功率器件數(shù)量,簡化控制電路的復(fù)雜性,同時通過提高開關(guān)頻率來降低電感的感量,尺寸和成本。DC/DC全橋LLC部分,升級為采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的DC/DC電路,可以從原來的兩組串聯(lián)二電平全橋LLC或三電平全橋移相ZVS或三電平全橋LLC或兩組串聯(lián)二電平全橋移相優(yōu)化為一組兩電平LLC。這樣可以極大簡化拓撲電路,減少元器件的數(shù)量,控制和驅(qū)動更加簡單。基于第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的高頻特性,可以提高LLC電路的開關(guān)頻率,從而減少磁性器件的尺寸和成本。由于LLC電路是軟開關(guān)工作模式,損耗集中在開關(guān)管的導(dǎo)通損耗上和關(guān)斷損耗上,第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z Eoff相對競品更小,在高頻LLC應(yīng)用優(yōu)勢明顯,由于拓撲結(jié)構(gòu)的原因,流過LLC中SiC碳化硅MOSFET的電流有效值是Si MOSFET電流的一半,所以最終導(dǎo)通損耗大大減小。新一代采用SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的直流充電樁拓撲電路可以提升0.3~0.5%左右的效率。
LLC,移相全橋等應(yīng)用實現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小,值越大越難實現(xiàn)ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時間或者開關(guān)兩端電壓能達到的最低值;因為續(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區(qū)時間初始電流??;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢,能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險。綜合來看,比起競品,LLC,移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
汽車級全碳化硅功率模塊是基本™(BASiC Semiconductor)為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品,包括Pcore™6汽車級HPD模塊、Pcore™2汽車級DCM模塊、Pcore™1汽車級TPAK模塊、Pcore™2汽車級ED3模塊等,采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本™(BASiC Semiconductor)最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計生產(chǎn)工藝,綜合性能達到國際先進水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率,進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,原方帶死區(qū)時間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化。
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場景:
充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。
基本™第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本™還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。
基本™第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計快速開關(guān)單極型器件,替代升級雙極型 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)開關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化,在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。
與IGBT相比,SiC-MOSFET的開關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優(yōu)化效率。當(dāng)改用碳化硅 (SiC) MOSFET時,可以使用簡單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數(shù)量實際上減少了一半。這不僅可以降低成本,還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。SiC MOSFET 不斷改進,并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應(yīng)用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛,從太陽能和風(fēng)能逆變器和電機驅(qū)動到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展,對增強這些機電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。這項創(chuàng)新擴展了幾乎每個行業(yè)的電機驅(qū)動應(yīng)用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關(guān)速度和低成本而歷來用于直流至交流電機驅(qū)動應(yīng)用。最重要的是,Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗,使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機驅(qū)動應(yīng)用的明顯選擇。然而,Si IGBT 的一個顯著缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時,就會發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機驅(qū)動應(yīng)用中,例如電動汽車或制造業(yè),熱失控可能是一個重大的設(shè)計風(fēng)險。
電力電子轉(zhuǎn)換器提高開關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向,因為相關(guān)組件(特別是磁性元件)可以更小,從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節(jié)省成本。然而,所有器件的開關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗,IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過多年的高度改進,使得實現(xiàn)性能顯著改進變得越來越具有挑戰(zhàn)性。例如,很難降低總體功率損耗,因為在傳統(tǒng)的 IGBT 設(shè)計中,降低傳導(dǎo)損耗通常會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。
作為應(yīng)對這一設(shè)計挑戰(zhàn)的解決方案,SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好,可以實現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。
由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動化制造中至關(guān)重要,高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外,與 Si IGBT 電機驅(qū)動器系統(tǒng)相比,SiC MOSFET 的一個顯著優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中,電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內(nèi)。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅(qū)動功率開關(guān)器件的另一個優(yōu)點是,由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關(guān)系,它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器,以保護電機免受高 dv/dt 的影響(只有電機電纜長度才會衰減 dv/dt)。 SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動器相較于IGBT變頻伺服驅(qū)動器在高開關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但某些應(yīng)用可能會看到整個電機驅(qū)動器系統(tǒng)的價格下降(通過減少布線、無源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個應(yīng)用系統(tǒng)之間進行復(fù)雜的設(shè)計和成本研究分析,但可能會提高效率并節(jié)省成本?;?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動汽車?yán)m(xù)航里程并將充電時間縮短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而,在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統(tǒng)價值時,需要考慮整個電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)?。?第一降低無源元件成本,無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導(dǎo)地位。提高開關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求,使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達 50%,從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇,從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統(tǒng)里的價值時,考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價值主張的一個重要部分。